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DMTH10H032SDVWQ-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMTH10H032SDVWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMTH10H032SDVWQ-13 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 6.2A PWRDI3333 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 6,2 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale PowerDI3333-8 (SWP) (tipo UXD) |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 8nC a 10V |
Produttore Diodes Incorporated | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 544pF a 50V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Potenza - Max 1,4W (Ta) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 100V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,2 A (Ta) | Contenitore/involucro 8-PowerVDFN |
RDSon (max) a Id, Vgs 35mohm a 5A, 10V | Contenitore del fornitore PowerDI3333-8 (SWP) (tipo UXD) |
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH10H032SDVW-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMTH10H032SDVW-13TR-ND | € 0,27169 | Equivalente parametrico |
| DMTH10H032SDVW-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMTH10H032SDVW-7TR-ND | € 0,28513 | Equivalente parametrico |
| DMTH10H032SDVWQ-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMTH10H032SDVWQ-7TR-ND | € 0,32455 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,30966 | € 928,98 |
| 6 000 | € 0,28747 | € 1 724,82 |
| 9 000 | € 0,28259 | € 2 543,31 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,30966 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,37779 |
