Name: DMTH10H025LK3Q-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H025LK3Q-13TR-ND
Price: 1.769 EUR
Availability: InStock

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DMTH10H025LK3Q-13
Codice DigiKey	31-DMTH10H025LK3Q-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH10H025LK3Q-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH10H025LK3Q-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH10H025LK3Q-13
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252 T&R
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 51,7 A (Tc) 3,1W (Ta) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 21 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1477 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 51,7 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore TO-252 (DPAK)
RDSon (max) a Id, Vgs 22mohm a 20A, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA	Codice componente base DMTH10

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,45000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,76900

DMTH10H025LK3Q-13