Canale N 100 V 7,3 A (Ta), 44 A (Tc) 1,3W (Ta), 46W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
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DMTH10H015LPS-13

Codice DigiKey
31-DMTH10H015LPS-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
31-DMTH10H015LPS-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
31-DMTH10H015LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMTH10H015LPS-13
Descrizione
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 7,3 A (Ta), 44 A (Tc) 1,3W (Ta), 46W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7,3 A (Ta), 44 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
16mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
33.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1871 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,3W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerDI5060-8
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
DMTH10
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In magazzino: 433
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,30000€ 1,30
10€ 0,81800€ 8,18
100€ 0,54460€ 54,46
500€ 0,42708€ 213,54
1 000€ 0,38926€ 389,26
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,33787€ 844,67
5 000€ 0,31333€ 1 566,65
7 500€ 0,30497€ 2 287,28
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,30000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,58600