Name: DMTH10H015LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H015LK3-13TR-ND
Price: 1.5006 EUR
Availability: InStock

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DMTH10H015LK3-13
Codice DigiKey	31-DMTH10H015LK3-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH10H015LK3-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH10H015LK3-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH10H015LK3-13
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 52,5 A (Ta) 2,1W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	52,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	15mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	33.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1871 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	DMTH10

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,23000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,50060

DMTH10H015LK3-13