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Diodes Incorporated
In magazzino: 1 476
Prezzo unitario : € 1,28000
Scheda tecnica
Canale N 60 V 54,1A (Tc) 2,7W (Ta), 41,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI3333-8 (tipo UX)
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DMT68M8LFV-13

Codice DigiKey
DMT68M8LFV-13DI-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
DMT68M8LFV-13
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 54,1A (Tc) 2,7W (Ta), 41,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI3333-8 (tipo UX)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
9,5mohm a 13,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2078 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,7W (Ta), 41,7W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerDI3333-8 (tipo UX)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,25981€ 779,43
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,25981
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,31697