Name: DMT6012LFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6012LFDF-13-ND
Price: 0.2812 EUR
Availability: OutOfStock

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DMT6012LFDF-13
Codice DigiKey	DMT6012LFDF-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT6012LFDF-13
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 9,5 A (Ta) 900mW (Ta), 11W (Tc) A montaggio superficiale U-DFN2020-6 (tipo F)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,3V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13.6 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 785 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta), 11W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore U-DFN2020-6 (tipo F)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 6-UDFN piazzola esposta
RDSon (max) a Id, Vgs 14mohm a 8,5A, 10V	Codice componente base DMT6012