Name: DMT6009LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6009LK3-13DITR-ND
Price: 1.708 EUR
Availability: InStock

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DMT6009LK3-13
Codice DigiKey	DMT6009LK3-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMT6009LK3-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMT6009LK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT6009LK3-13
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 13,3 A (Ta), 57 A (Tc) 2,6W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 33.5 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±16V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1925 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,6W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13,3 A (Ta), 57 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 10mohm a 13,5A, 10V	Codice componente base DMT6009

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IXTY90N055T2	IXYS	799	238-IXTY90N055T2-ND	€ 3,95000	Simile
NVD5C668NLT4G	onsemi	541	NVD5C668NLT4GOSCT-ND	€ 2,49000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,40000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,70800

DMT6009LK3-13