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DMT3M70LPSWQ-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMT3M70LPSWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMT3M70LPSWQ-13 |
Descrizione | IC |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 61A (Ta), 150A (Tc) 2,13W Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI5060-8 (tipo UX) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 152.7 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11112 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 2,13W |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore del fornitore PowerDI5060-8 (tipo UX) |
RDSon (max) a Id, Vgs 0,55mohm a 20A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT3M60LPSW-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMT3M60LPSW-13TR-ND | € 0,87338 | Equivalente parametrico |
| DMTH3M70LPSW-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMTH3M70LPSW-13TR-ND | € 1,07600 | Equivalente parametrico |
| DMTH3M70LPSWQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMTH3M70LPSWQ-13TR-ND | € 1,07600 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 1,07600 | € 2 690,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,07600 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,31272 |
