Equivalente parametrico

DMT32M7LDG-7 | |
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Codice DigiKey | 31-DMT32M7LDG-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMT32M7LDG-7 |
Descrizione | IC |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 21A (Ta), 47A (Tc) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale PowerDI3333-8 (tipo G) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,2V a 400µA |
Produttore Diodes Incorporated | Carica del gate (Qg) max a Vgs 32nC a 10V, 31,7nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2106pF a 15V, 2101pF a 15V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 1,1W (Ta) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canale N, drain comune, sorgente comune (asimmetrica) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore/involucro 8-PowerVDFN |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 21A (Ta), 47A (Tc) | Contenitore del fornitore PowerDI3333-8 (tipo G) |
RDSon (max) a Id, Vgs 2,9mohm a 18A, 10V, 2,5mohm a 18A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT32M7LDG-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMT32M7LDG-13TR-ND | € 0,37456 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 000 | € 0,43533 | € 870,66 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,43533 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,53110 |

