Name: DMT32M6LDG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT32M6LDG-13TR-ND
Price: 2.318 EUR
Availability: InStock

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DMT32M6LDG-13
Codice DigiKey	31-DMT32M6LDG-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMT32M6LDG-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMT32M6LDG-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT32M6LDG-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 21A (Ta), 47A (Tc) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale PowerDI3333-8 (tipo G)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,2V a 400µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15,6nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2101pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,1W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 21A (Ta), 47A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerDI3333-8 (tipo G)
RDSon (max) a Id, Vgs 2,5mohm a 18A, 10V	Codice componente base DMT32