Name: DMT3009LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT3009LSS-13TR-ND
Price: 0.1793 EUR
Availability: OutOfStock

Canale N 30 V 11A (Ta), 28A (Tc) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO

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DMT3009LSS-13
Codice DigiKey	31-DMT3009LSS-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT3009LSS-13
Descrizione	IC
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 11A (Ta), 28A (Tc) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11A (Ta), 28A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	10mohm a 14,4A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	807 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,4W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SO
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)

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Quantità

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 500	€ 0,14697	€ 367,42
5 000	€ 0,13413	€ 670,65
7 500	€ 0,12759	€ 956,93
12 500	€ 0,12023	€ 1 502,88
17 500	€ 0,11588	€ 2 027,90
25 000	€ 0,11165	€ 2 791,25

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,14697
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,17930

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