Name: DMT12H060LFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H060LFDF-13TR-ND
Price: 0.28918 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMT12H060LFDF-13
Codice DigiKey	31-DMT12H060LFDF-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT12H060LFDF-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 115 V 4,4 A (Ta) 1,1W (Ta) A montaggio superficiale U-DFN2020-6 (tipo F)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	115 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	65mohm a 3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	7.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	475 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	U-DFN2020-6 (tipo F)
Contenitore/involucro	6-UDFN piazzola esposta
Codice componente base	DMT12