Name: DMT12H007LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H007LPS-13TR-ND
Price: 3.0256 EUR
Availability: InStock

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DMT12H007LPS-13
Codice DigiKey	31-DMT12H007LPS-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMT12H007LPS-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMT12H007LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT12H007LPS-13
Descrizione	MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 90 A (Tc) 2,9W A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 49 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3224 pF @ 60 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,9W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 120 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 90 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerDI5060-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 7,8mohm a 30A, 10V	Codice componente base DMT12