Name: DMT10H075LE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H075LE-13TR-ND
Price: 0.20507 EUR
Availability: OutOfStock

DMT10H075LE-13
Codice DigiKey	31-DMT10H075LE-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT10H075LE-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 4 A (Ta) 2,4W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	65mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	4.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	228 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,4W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223-3
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,16809
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,20507

DMT10H075LE-13