
DMT10H4M5LPS-13 | |
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Codice DigiKey | DMT10H4M5LPS-13DI-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMT10H4M5LPS-13 |
Descrizione | MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 19 A (Ta), 100 A (Tc) 2,3W (Ta) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 80 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4843 pF @ 50 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 2,3W (Ta) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerDI5060-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,3mohm a 30A, 10V | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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| 2 500 | € 0,66643 | € 1 666,07 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,66643 |
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| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,81304 |

