Name: DMT10H009LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H009LPS-13TR-ND
Price: 1.6348 EUR
Availability: InStock

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DMT10H009LPS-13
Codice DigiKey	31-DMT10H009LPS-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMT10H009LPS-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMT10H009LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT10H009LPS-13
Descrizione	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 10A (Ta), 90A (Tc) 1,3W (Ta) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10A (Ta), 90A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	40.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2309 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,3W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerDI5060-8
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	DMT10

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Nastrato in bobina (TR)