


DMT10H009LK3-13 | |
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Codice DigiKey | 31-DMT10H009LK3-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMT10H009LK3-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMT10H009LK3-13DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | DMT10H009LK3-13 |
Descrizione | MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 90 A (Tc) 1,7W (Ta) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | DMT10H009LK3-13 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 9mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 20 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2309 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 1,7W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252 (DPAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,51000 | € 1,51 |
| 10 | € 0,96000 | € 9,60 |
| 100 | € 0,64350 | € 64,35 |
| 500 | € 0,50804 | € 254,02 |
| 1 000 | € 0,46445 | € 464,45 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,40476 | € 1 011,90 |
| 5 000 | € 0,37701 | € 1 885,05 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,51000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,84220 |



