Name: DMPH4029LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMPH4029LFGQ-7TR-ND
Price: 0.9638 EUR
Availability: InStock

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DMPH4029LFGQ-7
Codice DigiKey	31-DMPH4029LFGQ-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMPH4029LFGQ-7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMPH4029LFGQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMPH4029LFGQ-7
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 8A (Ta), 22A (Tc) 1,2W (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8A (Ta), 22A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	29mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1626 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	POWERDI3333-8
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	DMPH4029

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Nastrato in bobina (TR)