Name: DMP65H9D0HSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP65H9D0HSS-13TR-ND
Price: 2.1716 EUR
Availability: InStock

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DMP65H9D0HSS-13
Codice DigiKey	31-DMP65H9D0HSS-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMP65H9D0HSS-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMP65H9D0HSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMP65H9D0HSS-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 600 V 300mA (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 17 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±30V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 740 pF @ 25 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 1,25W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 300mA (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SO
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 9ohm a 300mA, 10V