DMP3017SFGQ-13 è obsoleto e non è più in produzione.
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DMP3011SFVWQ-13
Diodes Incorporated
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Prezzo unitario : € 1,10000
Scheda tecnica
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Canale P 30 V 11,5 A (Ta) 940mW (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
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DMP3017SFGQ-13

Codice DigiKey
DMP3017SFGQ-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMP3017SFGQ-13
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 11,5 A (Ta) 940mW (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
11,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
10mohm a 11,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2246 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
940mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
POWERDI3333-8
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
DMP3017
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