Name: DMP2008UFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP2008UFG-7DITR-ND
Price: 1.1102 EUR
Availability: InStock

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DMP2008UFG-7
Codice DigiKey	DMP2008UFG-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMP2008UFG-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMP2008UFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMP2008UFG-7
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 14 A (Ta), 54 A (Tc) 2,4W (Ta), 41W (Tc) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMP2008UFG-7 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 72 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6909 pF @ 10 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 2,4W (Ta), 41W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 14 A (Ta), 54 A (Tc)	Contenitore del fornitore POWERDI3333-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 12A, 4,5V	Codice componente base DMP2008