Name: DMP2008UFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP2008UFG-7DITR-ND
Price: 0.915 EUR
Availability: InStock

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DMP2008UFG-7
Codice DigiKey	DMP2008UFG-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMP2008UFG-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMP2008UFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMP2008UFG-7
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 14 A (Ta), 54 A (Tc) 2,4W (Ta), 41W (Tc) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMP2008UFG-7 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	14 A (Ta), 54 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	8mohm a 12A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	72 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6909 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,4W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	POWERDI3333-8
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	DMP2008

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