Name: DMP2006UFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP2006UFGQ-7TR-ND
Price: 1.6226 EUR
Availability: InStock

DMP2006UFGQ-7
Codice DigiKey	31-DMP2006UFGQ-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMP2006UFGQ-7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMP2006UFGQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMP2006UFGQ-7
Descrizione	MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 17,5 A (Ta), 40 A (Tc) 2,3W (Ta), 41W (Tc) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	17,5 A (Ta), 40 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,5mohm a 15A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7500 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,3W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	POWERDI3333-8
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	DMP2006

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,33000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,62260

DMP2006UFGQ-7