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DMP10H4D2SQ-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMP10H4D2SQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMP10H4D2SQ-13 |
Descrizione | MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 100 V 270mA (Ta) 380mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.8 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 87 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 380mW (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V | Contenitore del fornitore SOT-23-3 |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,2ohm a 500mA, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP10H4D2S-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMP10H4D2S-13CT-ND | € 0,32000 | Equivalente parametrico |
| DMP10H4D2S-7 | Diodes Incorporated | 792 | DMP10H4D2S-7DICT-ND | € 0,32000 | Equivalente parametrico |
| DMP10H4D2SQ-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMP10H4D2SQ-7CT-ND | € 0,33000 | Equivalente parametrico |
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 10 000 | € 0,05549 | € 554,90 |
| 20 000 | € 0,05105 | € 1 021,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,05549 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,06770 |
