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DMNH6021SK3-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | DMNH6021SK3-13-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMNH6021SK3-13 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 50A TO252 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 50 A (Tc) 2,1W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20.1 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1143 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore del fornitore TO-252-3 |
RDSon (max) a Id, Vgs 23mohm a 12A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA | Codice componente base |
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Sostituti (6)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMNH6021SK3Q-13 | Diodes Incorporated | 3 012 | DMNH6021SK3Q-13DICT-ND | € 1,27000 | Equivalente parametrico |
| FDD5680 | onsemi | 189 | FDD5680CT-ND | € 1,75000 | Simile |
| FDD86580-F085 | onsemi | 0 | FDD86580-F085TR-ND | € 0,00000 | Simile |
| NVD5C684NLT4G | onsemi | 1 217 | NVD5C684NLT4GOSCT-ND | € 2,22000 | Simile |
| STD35NF06T4 | STMicroelectronics | 4 161 | 497-STD35NF06T4CT-ND | € 1,68000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,27486 | € 687,15 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,27486 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,33533 |
