Name: DMNH6012SPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMNH6012SPSQ-13DITR-ND
Price: 2.3912 EUR
Availability: InStock

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DMNH6012SPSQ-13
Codice DigiKey	DMNH6012SPSQ-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMNH6012SPSQ-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMNH6012SPSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMNH6012SPSQ-13
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 50 A (Tc) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 35.2 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1926 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,6W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 50 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore PowerDI5060-8
RDSon (max) a Id, Vgs 11mohm a 50A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA	Codice componente base DMNH6012

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,96000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,39120

DMNH6012SPSQ-13