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DMNH6010SCTBQ-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 1,09585
Scheda tecnica
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Canale N 60 V 133 A (Tc) 5W (Ta), 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK)
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Canale N 60 V 133 A (Tc) 5W (Ta), 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK)
TO-263AB

DMNH6010SCTB-13

Codice DigiKey
31-DMNH6010SCTB-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMNH6010SCTB-13
Descrizione
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 133 A (Tc) 5W (Ta), 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
133 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
10mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2692 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263AB (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
DMNH6010
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 1,15948€ 927,58
1 600€ 1,11878€ 1 790,05
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,15948
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,41457
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