Name: DMN65D8LDW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN65D8LDW-7DITR-ND
Price: 0.3294 EUR
Availability: InStock

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DMN65D8LDW-7
Codice DigiKey	DMN65D8LDW-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN65D8LDW-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN65D8LDW-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN65D8LDW-7
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 180mA 300mW A montaggio superficiale SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	180mA
RDSon (max) a Id, Vgs	6ohm a 115mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0,87nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	22pF a 25V
Potenza - Max	300mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SOT-363
Codice componente base	DMN65

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Nastrato in bobina (TR)