Name: DMN63D8LDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN63D8LDW-13TR-ND
Price: 0.2806 EUR
Availability: InStock

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DMN63D8LDW-13
Codice DigiKey	31-DMN63D8LDW-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN63D8LDW-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN63D8LDW-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN63D8LDW-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 220mA 300mW A montaggio superficiale SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMN63D8LDW-13 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	220mA
RDSon (max) a Id, Vgs	2,8ohm a 250mA, 10V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0,87nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	22pF a 25V
Potenza - Max	300mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SOT-363
Codice componente base	DMN63

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Nastrato in bobina (TR)