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DMN61D9UDWQ-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMN61D9UDWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMN61D9UDWQ-13 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 318mA (Ta) 370mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-363 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 0,6nC a 4,5V |
Produttore Diodes Incorporated | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 39pF a 30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Potenza - Max 370mW (Ta) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 318mA (Ta) | Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
RDSon (max) a Id, Vgs 2ohm a 50mA, 5V | Contenitore del fornitore SOT-363 |
Vgs(th) max a Id 1V a 250µA | Codice componente base |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN61D9UDWQ-7CT-ND | € 0,25000 | Equivalente parametrico |
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 10 000 | € 0,03785 | € 378,50 |
| 20 000 | € 0,03435 | € 687,00 |
| 30 000 | € 0,03256 | € 976,80 |
| 50 000 | € 0,03055 | € 1 527,50 |
| 70 000 | € 0,02936 | € 2 055,20 |
| 100 000 | € 0,02821 | € 2 821,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,03785 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,04618 |
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