Name: DMN61D9UDWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN61D9UDWQ-13TR-ND
Price: 0.04254 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN61D9UDWQ-13
Codice DigiKey	31-DMN61D9UDWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN61D9UDWQ-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 318mA (Ta) 370mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	318mA (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs	2ohm a 50mA, 5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0,6nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	39pF a 30V
Potenza - Max	370mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SOT-363
Codice componente base	DMN61

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Nastrato in bobina (TR)