Name: DMN61D8L-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN61D8L-7DITR-ND
Price: 0.793 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

DMN61D8L-7
Codice DigiKey	DMN61D8L-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN61D8L-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN61D8L-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN61D8L-7
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 470mA (Ta) 390mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMN61D8L-7 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Category Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 1mA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.74 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 12.9 pF @ 12 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 390mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 470mA (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 3V, 5V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 1,8ohm a 150mA, 5V	Codice componente base DMN61

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 48 054

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastrato in bobina (TR)