Name: DMN6040SSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6040SSS-13DITR-ND
Price: 0.9394 EUR
Availability: InStock

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DMN6040SSS-13
Codice DigiKey	DMN6040SSS-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN6040SSS-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN6040SSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN6040SSS-13
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 5,5 A (Ta) 1,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMN6040SSS-13 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22.4 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1287 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,5W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SO
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 40mohm a 4,5A, 10V	Codice componente base DMN6040

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)