Name: DMN53D0LDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN53D0LDW-13DITR-ND
Price: 0.3172 EUR
Availability: InStock

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DMN53D0LDW-13
Codice DigiKey	DMN53D0LDW-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN53D0LDW-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN53D0LDW-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN53D0LDW-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 50V 360mA 310mW A montaggio superficiale SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMN53D0LDW-13 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	50V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	360mA
RDSon (max) a Id, Vgs	1,6ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0,6nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	46pF a 25V
Potenza - Max	310mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SOT-363
Codice componente base	DMN53

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Nastrato in bobina (TR)