Name: DMN52D0UWQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN52D0UWQ-7TR-ND
Price: 0.05954 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN52D0UWQ-7
Codice DigiKey	31-DMN52D0UWQ-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN52D0UWQ-7
Descrizione	MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 50 V 380mA (Ta) 400mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-323
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.4 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 39 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 50 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 380mA (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 5V	Contenitore del fornitore SOT-323
RDSon (max) a Id, Vgs 2ohm a 50mA, 5V	Contenitore/involucro SC-70, SOT-323
Vgs(th) max a Id 1V a 250µA	Codice componente base DMN52

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN52D0UWQ-13	Diodes Incorporated	0	31-DMN52D0UWQ-13TR-ND	€ 0,04073	Equivalente parametrico

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,05954

DMN52D0UWQ-7