Name: DMN3900UFA-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3900UFA-7BTR-ND
Price: 0.5856 EUR
Availability: InStock

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DMN3900UFA-7B
Codice DigiKey	DMN3900UFA-7BTR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN3900UFA-7BCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN3900UFA-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3900UFA-7B
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 550mA (Ta) 390mW (Ta) A montaggio superficiale X2-DFN0806-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 950mV a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.7 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 42.2 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 390mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 550mA (Ta)	Contenitore del fornitore X2-DFN0806-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro 3-XFDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 760mohm a 200mA, 4,5V	Codice componente base DMN3900

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,48000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,58560

DMN3900UFA-7B