Name: DMN3900UFA-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3900UFA-7BTR-ND
Price: 0.5612 EUR
Availability: InStock

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DMN3900UFA-7B
Codice DigiKey	DMN3900UFA-7BTR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN3900UFA-7BCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN3900UFA-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3900UFA-7B
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 550mA (Ta) 390mW (Ta) A montaggio superficiale X2-DFN0806-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	550mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	760mohm a 200mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	950mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	42.2 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	390mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	X2-DFN0806-3
Contenitore/involucro	3-XFDFN
Codice componente base	DMN3900

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