Name: DMN3350LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3350LFB-7BTR-ND
Price: 0.19259 EUR
Availability: OutOfStock

Canale N 30 V 1,6 A (Ta) 600mW (Ta) A montaggio superficiale X1-DFN1006-3

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DMN3350LFB-7B
Codice DigiKey	31-DMN3350LFB-7BTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3350LFB-7B
Descrizione	MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
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Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 1,6 A (Ta) 600mW (Ta) A montaggio superficiale X1-DFN1006-3

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,6V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.1 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 38.4 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,6 A (Ta)	Contenitore del fornitore X1-DFN1006-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 3-UFDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 350mohm a 590mA, 10V

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Nastrato in bobina (TR)