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DMN32D0LVQ-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMN32D0LVQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMN32D0LVQ-13 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 0.68A SOT563 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 680mA (Ta) 480mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-563 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 0,62nC a 4,5V |
Produttore Diodes Incorporated | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 44,8pF a 15V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Potenza - Max 480mW (Ta) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 680mA (Ta) | Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666 |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2ohm a 100mA, 4V | Contenitore del fornitore SOT-563 |
Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA | Codice componente base |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN32D0LV-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN32D0LV-13TR-ND | € 0,03481 | Equivalente parametrico |
| DMN32D0LV-7 | Diodes Incorporated | 20 445 | 31-DMN32D0LV-7CT-ND | € 0,23000 | Equivalente parametrico |
| DMN32D0LVQ-7 | Diodes Incorporated | 3 000 | 31-DMN32D0LVQ-7CT-ND | € 0,36000 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 10 000 | € 0,05966 | € 596,60 |
| 20 000 | € 0,05576 | € 1 115,20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,05966 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,07279 |
