Canale N 30 V 6 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
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DMN3112SSS-13

Codice DigiKey
DMN3112SSSDITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMN3112SSS-13
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 6 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
57mohm a 5,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
268 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOP
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base
DMN3112
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Obsoleto
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