Name: DMN30H4D0LFDE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN30H4D0LFDE-7DITR-ND
Price: 0.9028 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN30H4D0LFDE-7
Codice DigiKey	DMN30H4D0LFDE-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN30H4D0LFDE-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN30H4D0LFDE-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN30H4D0LFDE-7
Descrizione	MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 300 V 550mA (Ta) 630mW (Ta) A montaggio superficiale U-DFN2020-6 (tipo E)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,8V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.6 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 187.3 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 630mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 300 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 550mA (Ta)	Contenitore del fornitore U-DFN2020-6 (tipo E)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,7V, 10V	Contenitore/involucro 6-PowerUDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 4ohm a 300mA, 10V	Codice componente base DMN30

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN30H4D0LFDE-13	Diodes Incorporated	0	31-DMN30H4D0LFDE-13TR-ND	€ 0,15615	Equivalente parametrico

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,74000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,90280

DMN30H4D0LFDE-7