Name: DMN3070SSN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3070SSN-7DITR-ND
Price: 0.5856 EUR
Availability: InStock

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DMN3070SSN-7
Codice DigiKey	DMN3070SSN-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN3070SSN-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN3070SSN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3070SSN-7
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 4,2 A (Ta) 780mW (Ta) A montaggio superficiale SC-59-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	40mohm a 4,2A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	697 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	780mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-59-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	DMN3070

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Nastrato in bobina (TR)