MOSFET - Array 30V 5 A (Ta) 810mW (Ta) A montaggio superficiale U-DFN2020-6 (tipo B)
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DMN3055LFDBQ-13

Codice DigiKey
31-DMN3055LFDBQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMN3055LFDBQ-13
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6UDFN
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 5 A (Ta) 810mW (Ta) A montaggio superficiale U-DFN2020-6 (tipo B)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
-
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5 A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
40mohm a 3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11,2nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
458pF a 15V
Potenza - Max
810mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
6-UDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore
U-DFN2020-6 (tipo B)
Codice componente base
DMN3055
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
10 000€ 0,11737€ 1 173,70
20 000€ 0,10880€ 2 176,00
30 000€ 0,10542€ 3 162,60
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,11737
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,14319