Name: DMN3035LWN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3035LWN-7DITR-ND
Price: 0.8662 EUR
Availability: InStock

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DMN3035LWN-7
Codice DigiKey	DMN3035LWN-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN3035LWN-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN3035LWN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3035LWN-7
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 5,5A 770mW A montaggio superficiale V-DFN3020-8 (tipo N)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9,9nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 399pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 770mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,5A	Contenitore del fornitore V-DFN3020-8 (tipo N)
RDSon (max) a Id, Vgs 35mohm a 4,8A, 10V	Codice componente base DMN3035

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,71000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,86620

DMN3035LWN-7