Name: DMN3035LWN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3035LWN-7DITR-ND
Price: 0.8052 EUR
Availability: InStock

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DMN3035LWN-7
Codice DigiKey	DMN3035LWN-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN3035LWN-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN3035LWN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3035LWN-7
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 5,5A 770mW A montaggio superficiale V-DFN3020-8 (tipo N)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,5A
RDSon (max) a Id, Vgs	35mohm a 4,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	9,9nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	399pF a 15V
Potenza - Max	770mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Contenitore del fornitore	V-DFN3020-8 (tipo N)
Codice componente base	DMN3035

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Nastrato in bobina (TR)