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DMN3035LWN-13

Codice DigiKey
DMN3035LWN-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMN3035LWN-13
Descrizione
MOSFET 2N-CH 5.5A 8VDFN
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 5,5 A (Ta) A montaggio superficiale V-DFN3020-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5,5 A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
35mohm a 4,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4,5nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
399pF a 15V
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Contenitore del fornitore
V-DFN3020-8
Codice componente base
DMN3035
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
10 000€ 0,13074€ 1 307,40
20 000€ 0,12141€ 2 428,20
30 000€ 0,11973€ 3 591,90
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,13074
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,15950