Name: DMN3033LSN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3033LSNDITR-ND
Price: 0.793 EUR
Availability: InStock

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DMN3033LSN-7
Codice DigiKey	DMN3033LSNDITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN3033LSNDICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN3033LSNDIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3033LSN-7
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 6 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale SC-59-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,1V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10.5 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 755 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,4W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Ta)	Contenitore del fornitore SC-59-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 6A, 10V	Codice componente base DMN3033