Name: DMN3032LFDB-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3032LFDB-13-ND
Price: 0.14595 EUR
Availability: OutOfStock

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DMN3032LFDB-13
Codice DigiKey	DMN3032LFDB-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3032LFDB-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 6,2A 1W A montaggio superficiale U-DFN2020-6 (tipo B)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10,6nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 500pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore/involucro 6-UDFN piazzola esposta
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,2A	Contenitore del fornitore U-DFN2020-6 (tipo B)
RDSon (max) a Id, Vgs 30mohm a 5,8A, 10V	Codice componente base DMN3032

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN3032LFDB-7	Diodes Incorporated	0	DMN3032LFDB-7DICT-ND	€ 0,61000	Equivalente parametrico
DMN3032LFDBQ-7	Diodes Incorporated	15 645	DMN3032LFDBQ-7DICT-ND	€ 0,83000	Equivalente parametrico

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,14595

DMN3032LFDB-13