Name: DMN3029LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3029LFG-7TR-ND
Price: 0.7808 EUR
Availability: InStock

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DMN3029LFG-7
Codice DigiKey	31-DMN3029LFG-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN3029LFG-7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN3029LFG-7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3029LFG-7
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 5,3 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,8V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11.3 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±25V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 580 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,3 A (Ta)	Contenitore del fornitore POWERDI3333-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 18,6mohm a 10A, 10V	Codice componente base DMN3029

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN3027LFG-7	Diodes Incorporated	1 660	DMN3027LFG-7DICT-ND	€ 1,05000	Equivalente parametrico
STL10N3LLH5	STMicroelectronics	8 094	497-11843-1-ND	€ 1,33000	Simile

In magazzino: 1 951

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,64000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,78080

DMN3029LFG-7