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DMN3022LDG-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
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DMN3022LDG-7
Diodes Incorporated
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DMN3022LFG-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 1 450
Prezzo unitario : € 1,21000
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MOSFET - Array 30V 7,6A (Ta), 15A (Tc) 1,96W (Ta) A montaggio superficiale PowerDI3333-8 (tipo D)
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DMN3022LFG-7

Codice DigiKey
DMN3022LFG-7-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMN3022LFG-7
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 7,6A (Ta), 15A (Tc) 1,96W (Ta) A montaggio superficiale PowerDI3333-8 (tipo D)
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7,6A (Ta), 15A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
22mohm a 10A, 5V, 8mohm a 10A, 5V
Vgs(th) max a Id
2,1V a 250µA, 1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
3,7nC a 4,5V, 8nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
481pF a 15V, 996pF a 15V
Potenza - Max
1,96W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerLDFN
Contenitore del fornitore
PowerDI3333-8 (tipo D)
Codice componente base
DMN3022
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Quantità
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 0,35087€ 350,87
2 000€ 0,32178€ 643,56
3 000€ 0,30695€ 920,85
5 000€ 0,29030€ 1 451,50
7 000€ 0,28043€ 1 963,01
10 000€ 0,27905€ 2 790,50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,35087
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,42806