Canale N 30 V 10,8 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale U-DFN2020-6 (tipo F)
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

DMN3011LFDF-13

Codice DigiKey
31-DMN3011LFDF-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMN3011LFDF-13
Descrizione
IC
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 10,8 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale U-DFN2020-6 (tipo F)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
10,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
12mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
19.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1130 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,4W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
U-DFN2020-6 (tipo F)
Contenitore/involucro
6-UDFN piazzola esposta
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

Disponibile su ordinazione
Verifica i tempi di consegna
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
10 000€ 0,10800€ 1 080,00
20 000€ 0,09997€ 1 999,40
30 000€ 0,09588€ 2 876,40
50 000€ 0,09553€ 4 776,50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,10800
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,13176