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Canale N 30 V 11 A (Ta), 30 A (Tc) 900mW (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
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DMN3010LFG-13

Codice DigiKey
DMN3010LFG-13DI-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMN3010LFG-13
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 11 A (Ta), 30 A (Tc) 900mW (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
11 A (Ta), 30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8,5mohm a 18A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2075 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
900mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
POWERDI3333-8
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
DMN3010
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,17598€ 527,94
6 000€ 0,16176€ 970,56
9 000€ 0,15452€ 1 390,68
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Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,17598
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,21470