DMN3009SFGQ-13 è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico


Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,26805
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Diodes Incorporated
In magazzino: 2 913
Prezzo unitario : € 1,08000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Diodes Incorporated
In magazzino: 623
Prezzo unitario : € 1,41000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 2 390
Prezzo unitario : € 1,56000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 2 688
Prezzo unitario : € 1,44000
Scheda tecnica
Canale N 30 V 16 A (Ta), 45 A (Tc) 900mW (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
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DMN3009SFGQ-13

Codice DigiKey
DMN3009SFGQ-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
DMN3009SFGQ-13
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 16 A (Ta), 45 A (Tc) 900mW (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
42 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2000 pF @ 15 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
900mW (Ta)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Grado
Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Qualifica
AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore del fornitore
POWERDI3333-8
RDSon (max) a Id, Vgs
5,5mohm a 20A, 10V
Contenitore/involucro
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (5)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
DMN3009SFG-13Diodes Incorporated0DMN3009SFG-13-ND€ 0,26805Equivalente parametrico
DMN3009SFG-7Diodes Incorporated2 913DMN3009SFG-7DICT-ND€ 1,08000Equivalente parametrico
DMN3009SFGQ-7Diodes Incorporated623DMN3009SFGQ-7DICT-ND€ 1,41000Equivalente parametrico
TPH6R003NL,LQToshiba Semiconductor and Storage2 390TPH6R003NLLQCT-ND€ 1,56000Simile
TPN6R303NC,LQToshiba Semiconductor and Storage2 688TPN6R303NCLQCT-ND€ 1,44000Simile
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,33852€ 1 015,56
6 000€ 0,31473€ 1 888,38
9 000€ 0,31383€ 2 824,47
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,33852
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,41299